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碳化硅外延設(shè)備
原子層沉積設(shè)備
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開放式卷對(duì)卷石墨烯制備設(shè)備
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SKY-P42R05（8”x2)
碳化硅外延設(shè)備是用于碳化硅芯片生產(chǎn)的核心環(huán)節(jié)—外延層生長(zhǎng)的專用設(shè)備，這一過(guò)程是制造電力電子器件，如二極管、功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵步驟。納設(shè)智能全自動(dòng)雙腔設(shè)備采用創(chuàng)新的雙反應(yīng)腔協(xié)同設(shè)計(jì)，通過(guò)模塊化腔體結(jié)構(gòu)和智能控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)雙腔同步運(yùn)行與工藝參數(shù)獨(dú)立調(diào)控，為規(guī)?；慨a(chǎn)提供了更優(yōu)解決方案。
智能制造 兼容AGV&天車，可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化配套； 配置NH3、N2、TMAL模塊，可自由組合，滿足不同產(chǎn)品規(guī)格。 自主安全 通過(guò)SEMI認(rèn)證，符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范； 具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，具有獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
SKY-P40R02（8”x1)
納設(shè)智能碳化硅外延單腔系統(tǒng)采用水平熱壁的技術(shù)路線實(shí)現(xiàn)外延生長(zhǎng)，獨(dú)創(chuàng)的反應(yīng)腔室設(shè)計(jì)配備可獨(dú)立控制的多區(qū)進(jìn)氣系統(tǒng)，顯著提升了外延片的均勻性，同時(shí)降低外延缺陷率。
反應(yīng)腔室 石墨腔室配件數(shù)量少，結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)化；? 腔室進(jìn)氣/傳片方式獨(dú)特，減少外延掉落物。 尾氣系統(tǒng) 維護(hù)僅打磨平板石墨件，方便配件的清理操作；? 維護(hù)無(wú)需分離傳輸腔，只打開腔室后端法蘭，維護(hù)簡(jiǎn)易。 氣體系統(tǒng) 5區(qū)進(jìn)氣，乙烯/三氯氫硅每區(qū)獨(dú)立控制；? 各區(qū)碳硅比獨(dú)立控制，調(diào)整更靈活。 晶圓控制 工藝中晶圓轉(zhuǎn)速可精確調(diào)控；? 工藝中晶圓高度位置精確調(diào)控。
SKY-P20R02（6”x1)
納設(shè)智能的6英寸碳化硅外延設(shè)備，采用水平熱壁技術(shù)路線實(shí)現(xiàn)單片式生長(zhǎng)，兼容6英寸、4英寸外延片，設(shè)備性能可靠，已穩(wěn)定量產(chǎn)。
精確：氣路獨(dú)立可控 ● 精湛：工藝指標(biāo)優(yōu)異 ● 低耗：耗材成本更低? ● 省時(shí)：維護(hù)頻次更低? ● 進(jìn)階：NP型靈活切換
空間型原子層沉積設(shè)備
通過(guò)物理分隔反應(yīng)區(qū)實(shí)現(xiàn)空間交替：基板在移動(dòng)中依次經(jīng)過(guò)前驅(qū)體A區(qū)、惰性氣體吹掃區(qū)、前驅(qū)體B區(qū)，單次循環(huán)即可完成原子層沉積。
薄膜性能：片內(nèi)/片間/批次間不均勻性＜±5%，折射率不均勻性＜±3%（不均勻性=(最大值-最小值)/(最大值+最小值)） 產(chǎn)品特色：A源B源氣路獨(dú)立，工藝距離可調(diào)，源瓶壓力可控，自動(dòng)傳片及取片，可擴(kuò)展腔體及氣路數(shù)量，支持客戶定制
時(shí)間型原子層沉積設(shè)備
采用時(shí)間順序交替引入前驅(qū)體，在單一反應(yīng)腔內(nèi)完成循環(huán)：前驅(qū)體A脈沖→抽空→前驅(qū)體B脈沖→抽空
薄膜性能：片內(nèi)/片間/批次間不均勻性＜±5%，折射率不均勻性＜±3%（不均勻性=(最大值-最小值)/(最大值+最小值)） 產(chǎn)品特色：A源B源氣路獨(dú)立，工藝距離可調(diào)，電動(dòng)開蓋，15英寸工業(yè)級(jí)觸摸屏， 支持客戶定制
開放式卷對(duì)卷石墨烯制備設(shè)備是一種用于大規(guī)模生產(chǎn)石墨烯薄膜的關(guān)鍵設(shè)備。這種設(shè)備采用卷對(duì)卷（roll-to-roll）的生產(chǎn)方式，即將基底材料（如聚酰亞胺薄膜、聚酯薄膜等）和石墨烯前體材料以連續(xù)的方式卷繞在輥筒之間，并在適當(dāng)?shù)臏囟群蜌夥障逻M(jìn)行熱解，使石墨烯層沉積在基底上，開放式卷對(duì)卷石墨烯制備設(shè)備可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模、高效率的石墨烯薄膜生產(chǎn)，為石墨烯在電子、光學(xué)和能源領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用提供了關(guān)鍵支持。
● 大規(guī)模生產(chǎn)能力：開放式卷對(duì)卷石墨烯制備設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)連續(xù)、高效率的生產(chǎn)，適用于大規(guī)模石墨烯薄膜的制備。 ● 高質(zhì)量石墨烯生長(zhǎng)：通過(guò)優(yōu)化反應(yīng)條件和熱解參數(shù)，設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)高質(zhì)量、均勻的石墨烯生長(zhǎng)，具有優(yōu)異的電學(xué)和物理性能。 ● 可調(diào)控性：設(shè)備具有較高的工藝可調(diào)控性，能夠調(diào)整石墨烯的厚度、晶格結(jié)構(gòu)和形貌，以滿足不同應(yīng)用的需求。
科研級(jí)MOCVD設(shè)備
化學(xué)氣相沉積（CVD）設(shè)備是一種關(guān)鍵的制備工具，被廣泛應(yīng)用于材料制備和表面工程領(lǐng)域。CVD設(shè)備的工作原理是通過(guò)將氣態(tài)前體物質(zhì)在恰當(dāng)?shù)臏囟?、壓力和反?yīng)條件下與基底表面反應(yīng)，從而形成所需的薄膜結(jié)構(gòu)，在半導(dǎo)體、光電子器件、表面涂層等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
● 高質(zhì)量薄膜生長(zhǎng)：能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)材料生長(zhǎng)過(guò)程的精確控制 ● 高性能材料制備：可以制備出各種特定要求的功能性材料 ● 高效率生產(chǎn)：能夠在相對(duì)短的時(shí)間內(nèi)完成大面積薄膜的生長(zhǎng) ● 廣泛應(yīng)用性：MOCVD設(shè)備廣泛應(yīng)用于LED、LD、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域，為這些器件的制備提供了關(guān)鍵的材料基礎(chǔ)。
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